Infineon英飞凌_S25FS128SAGNFB103_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 S25FS128SAGNFB103 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

多I/O提升数据传输速度
DDR读满足高带宽需求
灵活寻址支持大容量存储
XIP/QPI模式便于代码直读
ECC提升数据可靠性
多种擦除选项便于集成
大页缓冲加快编程速度
高耐久适合频繁更新
长期保存保障数据安全
低电压降低功耗
宽温适应严苛环境
JEDEC兼容确保互通

特性

支持多I/O的SPI接口
支持DDR双倍速读
24/32位寻址模式
支持Burst、XIP、QPI模式
硬件ECC单比特纠错
混合/均匀扇区擦除选项
256/512字节页编程缓冲
最小10万次擦写寿命
最长20年数据保存
供电电压1.7V至2.0 V
工作温度–40°C至+125°C
符合JEDEC JESD216B/SFDP/CFI

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