Infineon英飞凌_S25FS064SAGNFV030_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 S25FS064SAGNFV030 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

灵活I/O实现高速数据访问
DDR读提升系统性能
大缓冲区加快编程速度
多种擦除模式满足需求
高耐久性确保可靠运行
长期数据保存更安全
OTP阵列支持安全ID
ECC提升数据完整性
强大保护防止数据丢失
先进工艺实现高密度
低电压降低功耗
宽温度适应恶劣环境

特性

支持单/双/四/ QPI模式SPI
支持DDR读命令
256/512字节页编程缓冲区
混合与统一扇区擦除选项
最小10万次擦写寿命
最小20年数据保持
1024字节OTP阵列可锁定
自动ECC单比特纠错
高级扇区与块保护
65 nm MIRRORBIT™技术
供电电压1.7V至2.0 V
工作温度最高+125°C

参数

类型	描述
密度	64 MBit
峰值回流温度	260 °C
工作温度范围	-40 °C 至 105 °C
工作电压范围	1.7 V 至 2 V
工作电压	1.8 V
引线球表面	Ni/Au
接口带宽	66 MByte/s
接口	Quad SPI
接口频率(SDR/DDR) (MHz)	133 / -
目前计划的可用性至少到	2035
系列	FS-S
认证标准	Industrial

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S25FS064SAGNFV030

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