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S70FS01GSDSBHM210

现货,推荐

S70FS01GSDSBHM210是一款1 Gb(128 MB)双芯片堆叠闪存,采用65纳米MIRRORBIT™技术和Eclipse架构,工作电压1.7 V至2.0 V,支持SPI多I/O、32位寻址、四路和DDR读模式、最大512字节页编程。可选混合和均匀扇区配置,10万次擦写循环。支持AEC-Q100汽车级和ECC,确保嵌入式及汽车应用的可靠性,工作温度-40°C至+125°C。

Infineon英飞凌 S70FS01GSDSBHM210 产品介绍
2026-04-14 0次

产品详情


  • 灵活接口便于系统集成
  • 高速数据访问提升效率
  • 大容量寻址支持应用
  • 轻松迁移S25FL产品
  • 页编程提升写入速度
  • 挂起/恢复保障实时操作
  • ECC提升数据可靠性
  • 扇区灵活适配设计
  • 高耐久适合频繁更新
  • 长期数据保存
  • 超低待机功耗
  • OTP与高级保护增强安全

特性


  • 支持SPI多I/O接口
  • DDR与QPI模式
  • 扩展24/32位寻址
  • 兼容S25FL系列命令集
  • 快速读取高达80 MBps
  • 页编程缓冲区256/512字节
  • 支持编程/擦除挂起与恢复
  • 内部ECC单比特纠错
  • 混合/统一扇区选项
  • 每扇区10万次擦写
  • 2千万年数据保存(1万次循环)
  • 深度掉电模式(0.006 mA)

参数


类型

描述

分类

ISO 26262-ready

密度

1 GBit

峰值回流温度

260 °C

工作温度 范围

-40 °C 至 125 °C

工作电压 范围

1.7 V 至 2 V

工作电压

1.8 V

引线球表面

Sn/Ag/Cu

接口带宽

80 MByte/s

接口

Quad SPI

接口频率(SDR/DDR) (MHz)

133 / 80

目前计划的可用性至少到

2035

系列

FS-S

认证标准

Automotive

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