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Infineon英飞凌 S70FL01GSAGMFA013 产品介绍
2026-04-14
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产品详情
- 实现1 Gbit高密度存储
- 灵活接口适配多种控制器
- DDR实现高速传输
- 大容量寻址空间
- 快速编程提升效率
- 简化内存管理
- 频繁擦写依然可靠
- 长期数据安全
- 保护敏感数据
- 防止误操作擦写
- 兼容3 V系统
- 灵活I/O便于集成
特性
- 双芯片堆叠架构
- SPI多I/O接口
- 支持DDR和SDR模式
- 32位扩展寻址
- 512字节页编程缓冲区
- 均匀256 KB扇区
- 最少10万次擦写寿命
- 最少20年数据保持
- 2048字节OTP区
- 块保护与高级扇区保护
- 核心电压2.7-3.6 V
- I/O电压1.65-3.6 V
参数
类型 | 描述 |
分类 | ISO 26262-ready |
密度 | 1 GBit |
峰值回流温度 | 260 °C |
工作温度 范围 | -40 °C 至 85 °C |
工作电压 范围 | 2.7 V 至 3.6 V |
工作电压 | 3 V |
引线球表面 | Matte Tin Plating |
接口带宽 | 52 MByte/s |
接口 | Quad SPI |
接口频率(SDR/DDR) (MHz) | 133 / - |
目前计划的可用性至少到 | 2035 |
系列 | FL-S |
认证标准 | Automotive |
