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S25FL512SDSBHBC10

现货,推荐

S25FL512SDSBHBC10是一款512 Mb(64 MB)SPI NOR闪存,采用Infineon 65 nm MIRRORBIT™技术和Eclipse™架构,具备高速编程和擦除性能。支持单、双、四路SPI Multi-I/O及DDR命令,核心电压2.7 V至3.6 V,I/O电压1.65 V至3.6 V。器件配备512字节页编程缓冲区、均匀256 KB扇区、高级扇区保护,符合AEC-Q100汽车级认证,适用于代码映射、XIP和汽车数据存储。

Infineon英飞凌 S25FL512SDSBHBC10 产品介绍
2026-04-14 0次

产品详情


  • 灵活I/O便于系统设计
  • 多I/O SPI提升数据速率
  • 大容量支持丰富存储
  • 133 MHz SPI实现快速访问
  • 四路/DDR读取速度快
  • 大缓冲区加快编程
  • ECC提升数据可靠性
  • 均匀扇区简化管理
  • 高耐久延长寿命
  • 20年数据安全
  • OTP区增强安全
  • 高级保护提升数据安全

特性


  • CMOS 3.0 V内核,灵活I/O
  • SPI接口,支持多I/O
  • 512 Mb (64 MB)容量
  • 支持SPI时钟高达133 MHz
  • 支持四路、双路、DDR读取
  • 512字节页编程缓冲区
  • 自动ECC单比特纠错
  • 均匀256 KB扇区
  • 10万次擦写寿命
  • 20年数据保持
  • 1024字节OTP安全区
  • 块与高级扇区保护

应用


智能驾驶域控制器, 多用途相机, 车载网关, 人机界面和车载信息娱乐系统, 汽车仪表盘

参数


类型

描述

分类

ISO 26262-ready

密度

512 MBit

峰值回流温度

260 °C

工作温度 范围

-40 °C 至 105 °C

工作电压 范围

2.7 V 至 3.6 V

工作电压

3 V

引线球表面

Sn/Ag/Cu

接口带宽

80 MByte/s

接口

Quad SPI

接口频率(SDR/DDR) (MHz)

133 / 80

目前计划的可用性至少到

2035

系列

FL-S

认证标准

Automotive

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