Infineon英飞凌_S25FS512SAGNFI010_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 S25FS512SAGNFI010 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

灵活I/O提升数据传输速率
DDR模式提高吞吐量
大缓存加快编程速度
ECC提升数据可靠性
多种擦除适配不同设计
高耐久保证长寿命
长期数据保存更安全
低电压降低能耗
深度掉电节省能耗
OTP区增强系统安全
高级保护防止非法访问
兼容现有设计

特性

支持多I/O的SPI接口
支持0和3时钟模式
支持DDR模式
24/32位寻址
兼容S25FL系列命令集
多种读取模式：普通、快速、双/四I/O、DDR四I/O
支持包裹、连续（XIP）、QPI模式
256/512字节页编程缓存
内部ECC单比特纠错
混合/统一扇区擦除选项
最小10万次擦写寿命
最低20年数据保持

参数

类型	描述
密度	512 MBit
峰值回流温度	260 °C
工作温度范围	-40 °C 至 85 °C
工作电压范围	1.7 V 至 2 V
工作电压	1.8 V
引线球表面	Matte Tin Plating
接口带宽	66 MByte/s
接口	Quad SPI
接口频率(SDR/DDR) (MHz)	133 / -
目前计划的可用性至少到	2035
系列	FS-S
认证标准	Industrial

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S25FS512SAGNFI010

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