Infineon英飞凌_S25FL512SAGBHV210_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 S25FL512SAGBHV210 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

灵活接口适配多种主机
DDR及四路I/O实现高速传输
大缓冲区加快编程速度
ECC保障数据可靠性
扇区易管理便于擦除
高耐久支持频繁更新
长期数据可靠保存
OTP安全区防伪认证
强大保护防误操作
宽电压支持多样设计
错误报告保障数据完整
兼容旧SPI闪存产品

特性

3.0 V内核多功能I/O
SPI多I/O：单、双、四路
所有I/O模式支持DDR读
512字节页编程缓冲区
自动ECC单比特纠错
均匀256 KB扇区擦除
最小10万次擦写寿命
最小20年数据保存
1024字节OTP安全区
高级扇区及块保护
电源电压2.7-3.6 V
I/O电压1.65 V至VCC+200 mV

参数

类型	描述
密度	512 MBit
峰值回流温度	260 °C
工作温度范围	-40 °C 至 105 °C
工作电压范围	2.7 V 至 3.6 V
工作电压	3 V
引线球表面	Sn/Ag/Cu
接口带宽	52 MByte/s
接口	Quad SPI
接口频率(SDR/DDR) (MHz)	133 / -
目前计划的可用性至少到	2035
系列	FL-S
认证标准	Industrial

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S25FL512SAGBHV210

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