Infineon英飞凌_S25FS128SDSBHM200_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 S25FS128SDSBHM200 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

灵活SPI兼容多主控
DDR与四I/O实现高速传输
32位寻址支持大容量设计
多I/O提升读写效率
多种读取模式适应不同应用
XIP/QPI支持在位执行
大页缓冲区加快编程
ECC提升数据可靠性
灵活擦除便于分区
高耐久延长寿命
长期保存保障数据安全
低电压降低功耗

特性

串行外设接口（SPI）
支持双倍数据速率（DDR）
24或32位地址选项
多I/O命令支持
正常、快速、双、四、DDR四I/O读取
Burst Wrap、连续（XIP）、QPI模式
256或512字节页编程缓冲区
自动ECC，单比特纠错
混合与统一扇区擦除选项
最少10万次擦写周期
最长20年数据保存
1.7 V至2.0 V电源电压

参数

类型	描述
分类	ISO 26262-ready
密度	128 MBit
峰值回流温度	260 °C
工作温度范围	-40 °C 至 125 °C
工作电压范围	1.7 V 至 2 V
工作电压	1.8 V
引线球表面	Sn/Ag/Cu
接口带宽	80 MByte/s
接口	Quad SPI
接口频率(SDR/DDR) (MHz)	133 / 80
目前计划的可用性至少到	2035
系列	FS-S
认证标准	Automotive

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S25FS128SDSBHM200

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