Infineon英飞凌_S25FL256SDPMFIG13_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 S25FL256SDPMFIG13 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

高密度低成本存储方案
快速读写提升系统性能
灵活接口适配多主控
DDR/QIO实现高速访问
大缓存提升编程效率
多种擦除便于迁移
可靠频繁更新与代码存储
长期数据安全可靠
OTP保障设备身份与配置
扇区保护防止误操作
宽电压支持多系统
宽温适用恶劣环境

特性

MIRRORBIT™技术单元存储2位数据
Eclipse架构加快编程/擦除
SPI多I/O：x1、x2、x4数据宽度
支持DDR读命令提升带宽
256B/512B页编程缓存
混合/统一扇区擦除选项
最少10万次擦写寿命
最少20年数据保持
1024字节一次性可编程区
高级扇区保护（ASP）
核心电压2.7-3.6 V，I/O 1.65-3.6 V
工作温度–40°C至+125°C

参数

类型	描述
密度	256 MBit
峰值回流温度	260 °C
工作温度范围	-40 °C 至 85 °C
工作电压范围	2.7 V 至 3.6 V
工作电压	3 V
引线球表面	Matte Tin Plating
接口带宽	66 MByte/s
接口	Quad SPI
接口频率(SDR/DDR) (MHz)	133 / 66
目前计划的可用性至少到	2035
系列	FL-S
认证标准	Industrial

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S25FL256SDPMFIG13

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