Infineon英飞凌_S25FL256LDPMFB003_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 S25FL256LDPMFB003 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

灵活接口实现高速访问
高可靠性保障长期使用
页缓存加速编程
多种擦除灵活管理存储
挂起/恢复支持多任务
高耐久适用严苛应用
长期数据安全存储
安全区防止篡改
深度掉电省电保护数据
宽电压适应多设计
适用恶劣环境
DDR四路I/O提升读取速度

特性

SPI多I/O接口支持
65nm浮栅技术
256字节页编程缓存
4 KB/32 KB/64KB统一擦除选项
支持编程/擦除挂起与恢复
最小10万次编程/擦除周期
最低20年数据保存
安全区带OTP锁定位
深度掉电模式
2.7V至3.6V电源电压
-40°C至+125°C工作温度
DDR四路I/O

参数

类型	描述
密度	256 MBit
峰值回流温度	260 °C
工作温度范围	-40 °C 至 105 °C
工作电压范围	2.7 V 至 3.6 V
工作电压	3 V
引线球表面	Matte Tin Plating
接口带宽	66 MByte/s
接口	Quad SPI
接口频率(SDR/DDR) (MHz)	133 / 66
目前计划的可用性至少到	2032
系列	FL-L
认证标准	Automotive

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S25FL256LDPMFB003

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