Infineon英飞凌_S25FS512SFABHB213_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 S25FS512SFABHB213 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

灵活接口便于系统集成
低电压降低功耗
102 MHz DDR实现高速数据
多I/O模式提升设计灵活性
可调延迟优化性能
100 mA最大电流降低发热
450 μA待机延长电池寿命
350 μA深度掉电节能

特性

SPI多I/O接口
1.8 V核心电压
DDR读取时钟高达102 MHz
支持单/双/四/QPI模式
可变读取延迟周期
102 MHz时最大工作电流100 mA
最大待机电流450 μA
最大深度掉电电流350 μA

参数

类型	描述
分类	ISO 26262-ready
密度	512 MBit
峰值回流温度	260 °C
工作温度范围	-40 °C 至 105 °C
工作电压范围	1.7 V 至 2 V
工作电压	1.8 V
引线球表面	Sn/Ag/Cu
接口带宽	102 MByte/s
接口	Quad SPI
接口频率(SDR/DDR) (MHz)	133 / 102
目前计划的可用性至少到	2035
系列	FS-S
认证标准	Automotive

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S25FS512SFABHB213

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