Infineon英飞凌_S25FL128LAGMFV003_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 S25FL128LAGMFV003 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

灵活I/O提升数据传输速度
DDR读取提升系统性能
大缓冲区提高编程效率
多种擦除简化管理
安全区防止非法访问
深度掉电防误操作
高耐久保障寿命
长期保存关键数据
宽电压适用多场景
抗电压瞬变更可靠
数据保护防止损坏
宽温度适应恶劣环境

特性

SPI接口支持单、双、四I/O
支持DDR双数据率读取
256字节页编程缓冲区
统一4KB扇区、32KB半块、64KB块擦除
安全区带OTP锁定位
深度掉电模式保护数据
最少10万次擦写寿命
最低20年数据保存
2.7V至3.6V单电源
输入电压容差VSS-1.0V至VCC+1.0 V(20ns)
硬件与软件数据保护功能
工作温度最高+125°C

参数

类型	描述
密度	128 MBit
峰值回流温度	260 °C
工作温度范围	-40 °C 至 105 °C
工作电压范围	2.7 V 至 3.6 V
工作电压	3 V
引线球表面	Matte Tin Plating
接口带宽	66 MByte/s
接口	Quad SPI
接口频率(SDR/DDR) (MHz)	133 / 66
目前计划的可用性至少到	2032
系列	FL-L

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S25FL128LAGMFV003

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