Infineon英飞凌_S26KL512SDABHI020_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 S26KL512SDABHI020 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

DDR x8 接口
错误检查与纠正 (ECC)
高级扇区保护 (ASP)
6x8 毫米 24 球 BGA 封装
数据保留二十年
100 k 次耐久性

参数

类型	描述
分类	NA
初始访问时间	96 ns
密度	512 MBit
峰值回流温度	260 °C
工作温度范围	-40 °C 至 85 °C
工作电压范围	2.7 V 至 3.6 V
工作电压	3 V
引线球表面	Sn/Ag/Cu
总线宽度	x8
技术	HYPERFLASH
接口带宽	200 MByte/s
接口	HYPERBUS
接口频率(SDR/DDR) (MHz)	- / 100
目前计划的可用性至少到	2035
系列	KL-S
认证标准	Industrial

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S26KL512SDABHI020

S26KL512SDABHI020

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