Infineon英飞凌_S26KS128SDPBHI020_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 S26KS128SDPBHI020 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

高吞吐量实现快速数据访问
DDR提升系统性能
8位总线便于集成
快速随机访问降低延迟
大缓冲区加快编程
ECC确保数据完整性
CRC快速检测数据错误
安全区保护关键数据
灵活扇区保护增强安全
低功耗延长电池寿命

特性

3.0 V I/O，11条总线信号
1.8 V I/O，12条总线信号
最高333 MBps持续读吞吐量
DDR：每时钟两次数据传输
8位数据总线（DQ[7:0]）
96 ns初始随机读访问时间
512字节编程缓冲区
ECC：1位纠错，2位检测
硬件加速CRC计算
安全硅区（1024字节OTP）
高级扇区保护方法
低功耗模式：待机25 µA，深度掉电8 µA

参数

类型	描述
初始访问时间	96 ns
密度	128 MBit
峰值回流温度	260 °C
工作温度范围	-40 °C 至 85 °C
工作电压范围	1.7 V 至 1.95 V
工作电压	1.8 V
引线球表面	Sn/Ag/Cu
总线宽度	x8
技术	HYPERFLASH
接口带宽	333 MByte/s
接口	HYPERBUS
接口频率(SDR/DDR) (MHz)	- / 166
目前计划的可用性至少到	2035
系列	KS-S
认证标准	Industrial

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S26KS128SDPBHI020

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