Infineon英飞凌_S26KS128SDABHM030_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 S26KS128SDABHM030 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

快速数据访问提升系统性能
灵活接口适应多样设计
高速DDR提升吞吐量
多种突发长度优化传输
低功耗延长电池寿命
ECC保障数据完整性
CRC检测传输错误
安全区实现设备认证
快速随机访问降低延迟
8位总线便于集成
可调驱动适应信号需求
恶劣环境下可靠运行

特性

8位数据总线
HYPERBUS™接口
最高333 MBps持续读吞吐量
DDR：每时钟两次数据传输
1.8 V下166 MHz时钟
3.0 V下100 MHz时钟
96 ns初始随机读访问
可配置突发长度：16/32/64字节
低功耗模式：待机25 µA，深度掉电8 µA
ECC：1位纠错，2位检测
硬件CRC计算
安全硅区（1024字节OTP）

参数

类型	描述
分类	ISO 26262-ready
初始访问时间	96 ns
密度	128 MBit
峰值回流温度	260 °C
工作温度范围	-40 °C 至 125 °C
工作电压范围	1.7 V 至 1.95 V
工作电压	1.8 V
引线球表面	Sn/Ag/Cu
总线宽度	x8
技术	HYPERFLASH
接口带宽	200 MByte/s
接口	HYPERBUS
接口频率(SDR/DDR) (MHz)	- / 100
目前计划的可用性至少到	2035
系列	KS-S
认证标准	Automotive

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S26KS128SDABHM030

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