Infineon英飞凌_CYRS17B512-133UZMB_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 CYRS17B512-133UZMB 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

512 Mbit 密度，133 MHz 的 QSPI
10k 次写入 / 无限次读取耐久性
125ºC 时数据可保存 10 年
1.8V / 3.3 VI/O 支持
68 引脚 CQFP 封装
DLAM 合格 5962 即将推出
辐射性能
TID > 300krad
SEU免疫
SEL > 80 LET MeV.cm2/mg [LET]
SEFI 2.77e-5 err/dev.day

参数

类型	描述
密度	512 MBit
封装	CG-FP-68-800
峰值回流温度	220 °C
工作温度范围	-55 °C 至 125 °C
工作电压范围	2.97 V 至 3.63 V
引线球表面	Gold kover
接口	QSPI
系列	NOR
组织(X x Y)	x4
认证标准	Military
设备重量	9600 mg
频率	133 MHz

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CYRS17B512-133UZMB

我们的抗辐射 NOR 闪存是英飞凌系列中的首款产品，为空间 FPGA 引导代码和卫星配置图像存储提供最高的性能、密度、辐射和单粒子效应 (SEE) 性能。注意：此部分已被5962F2122202VYC取代

特性

参数

4000-306-326

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CYRS17B512-133UZMB

我们的抗辐射 NOR 闪存是英飞凌系列中的首款产品，为空间 FPGA 引导代码和卫星配置图像存储提供最高的性能、密度、辐射和单粒子效应 (SEE) 性能。 注意：此部分已被5962F2122202VYC取代

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4000-306-326

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