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CYPT16B512-133FZMB

现货,推荐

英飞凌的耐辐射串行 NOR Flash系列提供业界高性能的小型封装存储器器件,并符合 QML-V 等效标准。我们的耐辐射NOR Flash存储器具有低引脚个数、低功耗特点,并提供超越普通串行闪存器件的灵活性、可靠性和性能。 行业标准的QSPI接口具有高性能、易用性以及广泛的生态系统支持。 对于飞行器件,请订购CYPT16B512-133FZMB 。

Infineon英飞凌 CYPT16B512-133FZMB 产品介绍
2026-04-14 0次

特性


  • 512 Mb 密度
  • QSPI / 双 QSPI
  • 50MHz SDR(读取)时钟频率
  • 133MHz SDR 快速dual quad读取时钟频率
  • 66MHz DDR(quad读取)时钟频率
  • 1000 次编程/扇区擦除耐久性循环
  • 100 年数据保留
  • 工作电压范围:2.7V 至 3.6V
  • 低工作电流(最大 10 mA)
  • –55°C 至 +125°C 军用温度等级
  • 原型
  • 飞行器件,订购CYRS16B512-133FZMB

参数


类型

描述

密度

512 MBit

峰值回流温度

220 °C

工作温度 范围

-55 °C 至 125 °C

工作电压 范围

2.7 V 至 3.6 V

引线球表面

Ni/Au

接口带宽

133 MByte/s

接口

Dual-Quad SPI

接口频率(SDR/DDR) (MHz)

133 / 66

目前计划的可用性至少到

2030

系列

FL-L

组织(X x Y)

x8

认证标准

Military

设备重量

3878.7 mg

频率

133 MHz

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