Infineon英飞凌_5962R1821601VXC_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 5962R1821601VXC 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

2 Mb 密度
SPI 接口工作频率高达 25 MHz
即时非易失性写入技术
10 万亿次读/写周期耐用性
在 +85°C 下数据保留 120 年
极低编程电压 (2V)
低工作电流 (10 mA)最大）
–55°C 至 +125°C 军用温度等级
16 引脚陶瓷 SOP (CSOP)
DLAM QML-V qual 2Mb rad 硬 SPI F-RAM
辐射性能

参数

类型	描述
密度	2 MBit
峰值回流温度	260 °C
工作温度范围	-55 °C 至 125 °C
工作电压范围	2 V 至 3.6 V
引线球表面	Au
接口	SPI
目前计划的可用性至少到	2033
系列	F-RAM
组织(X x Y)	4Mb x 18
认证标准	Military
设备重量	648.9 mg
频率	25 MHz

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5962R1821601VXC

我们的抗辐射 SPI F-RAM 是业界功耗最低的非易失性存储器解决方案之一，具有抗单粒子翻转 (SEU) 和几乎无限的耐用性。英飞凌的即时非易失性写入技术和超过100年的数据保留时间为空间应用提供了最高的可靠性。

特性

参数

4000-306-326