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PSE812GOS4DFNC4T

现货,推荐

PSE812GOS4DFNC4T

Infineon英飞凌 PSE812GOS4DFNC4T 产品介绍
2026-04-14 0次

参数


类型

描述

A/D输入线路

1

ADC (#,最大分辨率@采样率)

SAR (1, 12-20 bit @ 5 msps)

ADC模块的数量

1

BLE RX灵敏度

N/A

BLE功率输出

N/A

BLE支持的频段

N/A

BLE最大数据速率

N/A

CAN

0

CAPSENSE™

N

CPU

ARM Cortex-M55

DAC (#,最大分辨率@采样率)

(1,12-bit)

DMA通道

32

I/O引脚 (Smart) 范围

16 至 101

I2S

2

LCD直接驱动

N

PDM-PCM

4

SRAM

4096 kByte

USB I/O

2

USB类型

USB 2.0 HS/FS

串行通信模块

9

加密加速器

Y

四SPI

2

定时器/计数器/PWM模块

32

实时时钟

Y

峰值回流温度

260 °C

最低 工作温度

-20 °C

最高 工作温度

70 °C

最低 工作电压

1.71 V

最高 工作电压

3.6 V

开发软件

ModusToolbox™

引线球表面

Sn/Ag/Cu

次内核

ARM Cortex-M33

比较器

0

浮点单元

Y

系列

PSOC Edge E81

认证标准

Commercial

运算放大器

2

通信接口

I2C, SPI, UART

通用数字模块

0

附加功能

Helium DSP, NNLite NPU, EPC4 Security

频率

400 MHz

  • Infineon英飞凌 IMW65R010M2H 产品介绍
  • 采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础,能够加速系统设计,从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进,适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
    2026-04-14 211次
  • Infineon英飞凌 AIMBG75R050M2H 产品介绍
  • CoolSiC™ MOSFET 750 V 利用了英飞凌 20 多年的 SiC 经验。它在性能、可靠性和稳健性方面具有优势,具有栅极驱动灵活性,可实现简化且高效的系统设计,从而实现最高效率和功率密度。 创新的顶部冷却封装进一步增强了CoolSiC™ 750 V 的优势,提供了更高的密度、优化的功率回路设计以及更少的系统和组装成本。
    2026-04-14 277次
  • Infineon英飞凌 BAT15-02ELS 产品介绍
  • 这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件,片上集成有保护环,用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-02ELS 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。
    2026-04-14 265次
  • Infineon英飞凌 IMW120R060M1H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封装,基于最先进的沟槽半导体工艺构建,经过优化,兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。
    2026-04-14 331次
  • Infineon英飞凌 IMCQ120R078M2H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装,专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
    2026-04-14 304次
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