h1_key

当前位置:首页 >新闻资讯 > 产品资讯>英飞凌>Infineon英飞凌 CYT4BF8CDDQ0AESGS 产品介绍

CYT4BF8CDDQ0AESGS

现货,推荐

CYT4BF8CDS 属于 TRAVEO ™ CYT4BF 系列 MCU,基于高效嵌入式处理器 Arm ® Cortex ® -M7F,它确保高水平的效率和网络连接,同时保持易用性,通过其特色电源模式实现最低功耗,并通过 HSM(硬件安全模块)实现卓越的尖端安全性,专用的 Cortex ® -M0+ 用于安全处理,以及满足 FOTA 要求的双组模式下的嵌入式闪存。专为汽车车身应用而设计,非常适合车身控制模块、网关和信息娱乐应用。

Infineon英飞凌 CYT4BF8CDDQ0AESGS 产品介绍
2026-04-14 0次

产品详情


  • 支持 ASIL-B 设计
  • 兼容 BODY 系列
  • A/B 交换软件无线更新支持
  • 一流的功耗

特性


  • 350 MHz Arm ® Cortex ® -M7F Dual
  • 840 KB 代码闪存,2564 KB 工作闪存
  • 1024 KB SRAM
  • 7 至 5.5 电源电压
  • HSM(硬件安全模块)
  • 148x 可编程 GPIO
  • 10x SCB / 17x LIN / 10x CAN FD 通道
  • 216x DMA 通道
  • -40°C - +125 °C 温度范围
  • 176-TEQFP 封装

应用


汽车车身控制模块 (BCM)

参数


类型

描述

16位 TCPWM

87

16位TCPWM (电机控制)

15

32位 TCPWM

16

ADC通道

81

ASIL/SIL支持

ASIL-B

CAN-FD

10

CXPI

0

DMA通道

143/65/8

eMMC IO速度

5V I/O at 26MHz

eMMC

1

eSHE/HSM

HSM

FlexRayTM

2

GPIO

148

I2S

TX 3ch, RX 3ch (3 instances)

LIN

17

MPU

Yes

PPU

Yes

RC-OSC

No

RTC通道

1

SCB模块

10

SMIF (SPI/HYPERBUS™)

1

SMIF速度

5V I/O at 32MHz

SRAM

1024 kByte

Work Flash

256 kByte

主内核类型/加密内核类型

ARM_CM7F_D/CM0+

主内核频率

350 MHz

以太网端口

1

以太网速度

10/100

供电电压

2.7 to 5.5

分类

ISO 26262-compliant

外部中断通道

148

工作温度范围TA

-40°C to 105°C

智能IO

36

浮点单元

Dual precision

温度传感器

Yes

看门狗

Yes

系列

TRAVEO™ T2G CYT4BF Series

网络安全分类

ISO 21434-compliant

调试接口

SWD/JTAG/Trace

闪存安全

Yes

闪存

8384 kByte

  • Infineon英飞凌 IMW65R010M2H 产品介绍
  • 采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础,能够加速系统设计,从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进,适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
    2026-04-14 211次
  • Infineon英飞凌 AIMBG75R050M2H 产品介绍
  • CoolSiC™ MOSFET 750 V 利用了英飞凌 20 多年的 SiC 经验。它在性能、可靠性和稳健性方面具有优势,具有栅极驱动灵活性,可实现简化且高效的系统设计,从而实现最高效率和功率密度。 创新的顶部冷却封装进一步增强了CoolSiC™ 750 V 的优势,提供了更高的密度、优化的功率回路设计以及更少的系统和组装成本。
    2026-04-14 277次
  • Infineon英飞凌 BAT15-02ELS 产品介绍
  • 这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件,片上集成有保护环,用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-02ELS 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。
    2026-04-14 265次
  • Infineon英飞凌 IMW120R060M1H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封装,基于最先进的沟槽半导体工艺构建,经过优化,兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。
    2026-04-14 331次
  • Infineon英飞凌 IMCQ120R078M2H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装,专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
    2026-04-14 304次
    10s
    温馨提示:
    订单商品问题请移至我的售后服务提交售后申请,其他需投诉问题可移至我的投诉提交,我们将在第一时间给您答复
    返回顶部