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TLE8881-3TN

现货,推荐

该设备基于英飞凌的电源技术 SPT,该技术允许将双极和 CMOS 控制电路与 DMOS 功率设备集成在同一单片电路上。电池电压被调节在 10.6 V 和 16 V 之间的精确值。如果发生通信丢失,调节器可以使用可调的默认值继续进行电压调节。在输出引脚设置固定频率PWM电压来激励交流发电机的励磁线圈。

Infineon英飞凌 TLE8881-3TN 产品介绍
2026-04-14 0次

产品详情


  • 辅助功能简化了带有 MFC 接口的现有应用程序的设计
  • 兼容现有的英飞凌 LIN 交流发电机 IC(包括。
  • 符合 LIN 1.3、LIN 2.1 和 LIN 2.2 规范
  • 灵活性:
  • LIN 1.3、LIN 2.1 和 LIN 2.2
  • 完全可配置的 LIN ID 和过滤器
  • 增强型 EEPROM,可根据客户具体情况进行调整
  • 安全性:
  • 符合 ISO 26262 安全元件标准,可满足高达 ASIL B 的安全要求

特性


  • 激励PWM占空比范围从0%到100%
  • 全数字快速PI调节器
  • 用于根据目标应用进行定制的EEPROM
  • 数字温度设定点补偿
  • 取决于LIN命令的激励电流限制
  • 广泛的电压测量范围:8 V至24 V
  • 极低的待机电流,小于80 μA @ 25°C
  • 所有线路上8 kV的高ESD电阻率(ESD HBM)
  • 高温范围:-40°C至175°C
  • Infineon英飞凌 IMW65R010M2H 产品介绍
  • 采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础,能够加速系统设计,从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进,适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
    2026-04-14 211次
  • Infineon英飞凌 AIMBG75R050M2H 产品介绍
  • CoolSiC™ MOSFET 750 V 利用了英飞凌 20 多年的 SiC 经验。它在性能、可靠性和稳健性方面具有优势,具有栅极驱动灵活性,可实现简化且高效的系统设计,从而实现最高效率和功率密度。 创新的顶部冷却封装进一步增强了CoolSiC™ 750 V 的优势,提供了更高的密度、优化的功率回路设计以及更少的系统和组装成本。
    2026-04-14 277次
  • Infineon英飞凌 BAT15-02ELS 产品介绍
  • 这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件,片上集成有保护环,用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-02ELS 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。
    2026-04-14 265次
  • Infineon英飞凌 IMW120R060M1H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封装,基于最先进的沟槽半导体工艺构建,经过优化,兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。
    2026-04-14 328次
  • Infineon英飞凌 IMCQ120R078M2H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装,专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
    2026-04-14 304次
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