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XDPS2222

XDP ™数字电源 XDPS2222 是一款高度集成的设备,结合了 PFC 升压和混合反激转换功能。这种集成实现了两个转换阶段的无缝操作和最佳控制,从而实现了一流的性能。该控制器可实现高功率密度设计和高系统效率,满足电源效率的国际标准以及有效的宽输出电压控制。

Infineon英飞凌 XDPS2222 产品介绍
2026-04-14 0次

产品详情


  • 低空载输入待机功率性能
  • 低 BOM 成本和数量
  • 在各种线路/负载条件下保持低待机和高效率
  • 高功率密度和高开关频率
  • 易于配置
  • 通过 GUI 工具进行优化

特性


  • 具有临界导电模式操作的高性能多模式 PFC
  • 具有自适应谐振周期的高效多模式混合反激式拓扑
  • 支持 USB-PD 标准 V3.1 扩展功率范围 (EPR),输出电压高达 48 V
  • 用于 PFC 和混合反激式拓扑的高度集成组合控制器,包括 600 V 启动单元
  • DSO-14(150 mil)封装
  • Infineon英飞凌 IMW65R010M2H 产品介绍
  • 采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础,能够加速系统设计,从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进,适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
    2026-04-14 211次
  • Infineon英飞凌 AIMBG75R050M2H 产品介绍
  • CoolSiC™ MOSFET 750 V 利用了英飞凌 20 多年的 SiC 经验。它在性能、可靠性和稳健性方面具有优势,具有栅极驱动灵活性,可实现简化且高效的系统设计,从而实现最高效率和功率密度。 创新的顶部冷却封装进一步增强了CoolSiC™ 750 V 的优势,提供了更高的密度、优化的功率回路设计以及更少的系统和组装成本。
    2026-04-14 274次
  • Infineon英飞凌 BAT15-02ELS 产品介绍
  • 这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件,片上集成有保护环,用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-02ELS 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。
    2026-04-14 265次
  • Infineon英飞凌 IMW120R060M1H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封装,基于最先进的沟槽半导体工艺构建,经过优化,兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。
    2026-04-14 326次
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  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装,专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
    2026-04-14 303次
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