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IR3570B

IR3570B

Infineon英飞凌 IR3570B 产品介绍
2026-04-14 0次

产品详情


  • 双输出 4+1 和 3+2 相 PWM 控制器
  • 业内最简单的布局和最少的引脚
  • 完全支持具有双 OCP 的 AMD ® SVI1 和 SVI2 以及 Intel ® VR12 和 VR12.5
  • 符合 VR12.5 Rev 1.3 对 SVID 寄存器 15h 的要求,具有 <200 µSec 过滤器
  • 超频和游戏模式
  • 每相开关频率为 200kHz 至 2MHz
  • IR 效率整形功能,包括动态相位控制和自动电源状态切换
  • 两个环路上的 IR 自适应瞬态算法 (ATA) 可最大程度地降低输出大容量电容器和系统成本
  • 自动相位检测与自动补偿
  • 每环路故障保护:OVP、UVP、OCP、OTP、CFP
  • I2C/SMBus/PMBus 系统接口,用于遥测两个环路的温度、电压、电流和功率
  • 带有集成电荷泵的多次编程 (MTP),可轻松实现自定义配置 兼容 IR ATL 和 3.3V 三态驱动器
  • +3.3伏电源电压 -40°C 至 85°C 环境操作
  • 无铅、符合 RoHS 标准、5x5 毫米、40 针、0.4 毫米间距 QFN

参数


类型

描述

Auto-PSI/DPC

Yes

VGD

Yes

处理器类型

CPU / GPU

封装

QFN 5 x 5 40-Pin

技术

DCIC

接口

I2C, PMBus, SMBus

最大相位

5

湿度敏感等级

2

电压输出

2

认证标准

Industrial

超频

Yes

配置

4+1

  • Infineon英飞凌 IMW65R010M2H 产品介绍
  • 采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础,能够加速系统设计,从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进,适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
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  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装,专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
    2026-04-14 304次
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