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IR38163M

该系列 OptiMOS ™ IPOL 设备提供易于使用、完全集成且高效的 DC-DC 稳压器,并带有 Intel SVID 和 I2C/PMBus 接口。 该设备提供可编程开关频率、输出电压、故障/警告阈值和故障响应。 片上传感器和 ADC 以及 SVID 和 PMBus 接口(IR18163 和 IR38363)或 SVID 和 I2C 接口(IR38165 和 IR38365)可以轻松监控和报告遥测。

Infineon英飞凌 IR38163M 产品介绍
2026-04-14 0次

特性


  • 内部 LDO 最高工作电压为 16 V
  • 输出电压范围:0.5V 至 0.875*Pvin
  • 0.5% 精度参考电压
  • VR12.5 (r1.5),VR13 (r1.0)、SVID (r1.7)
  • 增强型线路/负载调节
  • PMBus 频率可编程至 1.5MHz
  • 启用带电压监控的输入
  • 真差分远端感测放大器
  • 快速模式 I2C 和 400 kHz PMBus 接口
  • PMBus 可配置故障阈值
  • 逐脉冲和断续电流限制
  • 专用电源良好和 OVP 感测

应用


数据中心及 AI 数据中心解决方案, 48 V 中间总线转换器 (IBC), 电信基础设施

参数


类型

描述

最高 Iout

30 A

产品类别

Digital: SVID, PMBus

开关频率 范围

150 kHz 至 1500 kHz

技术

Voltage Mode

湿度敏感等级

2

类型

Single-phase

系列

OptiMOS™ IPOL

认证标准

Industrial

输入信号电压 范围

1.5 V 至 16 V

输出电压 范围

0.5 V 至 14 V

输出的数量

1

  • Infineon英飞凌 IMW65R010M2H 产品介绍
  • 采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础,能够加速系统设计,从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进,适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
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  • CoolSiC™ MOSFET 750 V 利用了英飞凌 20 多年的 SiC 经验。它在性能、可靠性和稳健性方面具有优势,具有栅极驱动灵活性,可实现简化且高效的系统设计,从而实现最高效率和功率密度。 创新的顶部冷却封装进一步增强了CoolSiC™ 750 V 的优势,提供了更高的密度、优化的功率回路设计以及更少的系统和组装成本。
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  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封装,基于最先进的沟槽半导体工艺构建,经过优化,兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。
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  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装,专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
    2026-04-14 304次
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