Infineon英飞凌_IDP20E65D2_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IDP20E65D2 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

最低反向恢复电荷 Q_rr
BiC 性能的 V_F 比率
低反向恢复时间 (t_rr)
最低 I_rrm 适用于：
升压开关上的最低损耗

应用

不间断电源 (UPS)

参数

类型	描述
最高 I(FSM)	120 A
最高 IF	40 A
IF	20 A
最高 IR	40 µA
Irrm	6.3 A
最高 Ptot	120 W
Qrr	0.19 µC
最高 RthJC	1.25 K/W
trr	43 ns
最高 VF	2.2 V
VF	1.6 V
安装	THT
封装	TO-220
工作温度范围	-40 °C 至 175 °C
最高电压等级	650 V
配置	Single

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IDP20E65D2

采用 TO-220 real2pin 封装的快速 2 开关 650 V、20 A 发射极控制功率硅二极管专为在 40 kHz 和 100 kHz 之间切换的应用而设计。

特性

应用

参数

4000-306-326