Infineon英飞凌_IDP30C65D2_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IDP30C65D2 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

1.35 V 温度稳定 V_F
最高柔软度因子：
极致柔软度
低 EMI 滤波
最低 I_rrm：
升压开关低导通损耗
适用于 18 kHz 至 40 kHz 应用

参数

类型	描述
最高 I(FSM)	100 A
最高 IF	30 A
IF	15 A
最高 IR	40 µA
Irrm	5.4 A
最高 Ptot	92 W
Qrr	0.16 µC
最高 RthJC	1.63 K/W
trr	42 ns
最高 VF	2.2 V
VF	1.6 V
安装	THT
封装	TO-220
工作温度范围	-40 °C 至 175 °C
最高电压等级	650 V
配置	Common Cathode

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IDP30C65D2

快速 2 开关 650 V、30 A 发射极控制功率硅二极管，采用共阴极配置和 TO-220 封装，可实现设计优化，实现更紧凑的尺寸、更轻松的组装，从而降低成本。

特性

参数

4000-306-326