Infineon英飞凌_IDP08E65D1_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IDP08E65D1 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

1.35 V 温度稳定 V_F
最高软度因子
低 EMI 滤波
最低 I_rrm
升压开关导通损耗低
在 18 kHz 和 40 kHz 之间切换

应用

家用电器, 不间断电源 (UPS)

参数

类型	描述
最高 I(FSM)	64 A
最高 IF	16 A
IF	8 A
最高 IR	40 µA
Irrm	2.8 A
最高 Ptot	56 W
Qrr	0.17 µC
最高 RthJC	2.69 K/W
trr	80 ns
最高 VF	1.35 V
VF	1.35 V
安装	THT
封装	TO-220
工作温度范围	-40 °C 至 175 °C
最高电压等级	650 V
配置	Single

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IDP08E65D1

采用 TO-220 real2pin 封装的快速 1 开关 650 V、8 A 发射极控制功率硅二极管非常适合功率因数校正 (PFC) 拓扑，通常用于空调和洗衣机等主要家用电器中。

特性

应用

参数

4000-306-326