Infineon英飞凌_IDV08E65D2_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IDV08E65D2 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

最低反向恢复电荷
最高软度因子
低反向恢复时间 (t_rr)
最低 I_rrm
升压开关上的低导通损耗

参数

类型	描述
最高 I(FSM)	60 A
最高 IF	8 A
IF	8 A
最高 IR	40 µA
Irrm	2.5 A
最高 Ptot	27.3 W
Qrr	0.08 µC
最高 RthJC	5.5 K/W
trr	40 ns
最高 VF	1.6 V
VF	1.6 V
安装	THT
封装	TO-220
工作温度范围	-40 °C 至 175 °C
最高电压等级	650 V
配置	Single

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2026-04-14 298次

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IDV08E65D2

采用 TO-220 FullPAK 封装的 Rapid 2 开关 650 V、8 A 发射极控制功率硅二极管专为在 40 kHz 和 100 kHz 之间切换的应用而设计。

特性

参数

4000-306-326