Infineon英飞凌_IDC51D120T8H_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IDC51D120T8H 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

1200V 发射极控制 4 技术 120µm 芯片
110 µm 芯片
软开关、快速开关
低反向恢复电荷
小温度系数

参数

类型	描述
最高 I(FSM)	200 A
最高 IF	100 A
最高 IR	18 µA
最高 VDS	1200 V
VF	1.9 V
技术	Emitter Controlled Diode 4 High Power

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IDC51D120T8H

适用于中/高功率模块的快速开关发射极控制二极管。

特性

参数

4000-306-326