Infineon英飞凌_IDC51D120T6M_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IDC51D120T6M 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

1200V 发射极控制二极管 4
软开关、快速开关
低反向恢复电荷
小温度系数

参数

类型	描述
最高 I(FSM)	200 A
最高 IF	100 A
最高 IR	18 µA
最高 VDS	1200 V
VF	1.7 V
技术	Emitter Controlled Diode 4 Medium Power

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IDC51D120T6M

发射极控制二极管是英飞凌独特的快速恢复二极管技术。我们的超薄晶圆和场截止技使发射极控制二极管非常适合消费及工业应用，因为它通过软恢复降低了 IGBT 的开通损耗。发射极控制二极管针对英飞凌 IGBT 技术进行了优化。

特性

参数

4000-306-326