Infineon英飞凌_SIDC105D120H8_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 SIDC105D120H8 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

1200 V 技术 120 µm 芯片
软、快速开关
低反向恢复电荷
小温度系数
符合 JEDEC 标准

参数

类型	描述
最高 I(FSM)	400 A
最高 IF	200 A
最高 IR	2.6 µA
最高 VDS	1200 V
VF	1.29 V
技术	Emitter Controlled Diode High Efficiency

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SIDC105D120H8

适用于电源模块和分立器件的高效快速开关发射极控制二极管。

特性

参数

4000-306-326