Infineon英飞凌_IDB30E120_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IDB30E120 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

最低 V_F 值
可提供最软的二极管。市场上
T_j(max) 为 150°C
符合 JEDEC 要求
更凉爽的封装和更高的效率
出色的 EMI 行为
出色的成本/性能。权衡
低传导损耗
易于并联

应用

家用空调, 马达控制

参数

类型	描述
最高 I(FSM)	102 A
最高 IF	50 A
IF	30 A
最高 IR	100 µA
Irrm	23.7 A
最高 Ptot	138 W
Qrr	2630 nC
最高 RthJC	0.9 K/W
trr	243 ns
最高 VF	1.65 V
VF	1.65 V
安装	SMT
封装	TO-220
工作温度范围	-55 °C 至 150 °C
最高电压等级	1200 V
配置	Single

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IDB30E120

采用 D2PAK TO-263 封装的超软 1200 V、30 A 发射极控制硅功率二极管的 T j(max) 达到 150°C。根据 IEC61249-2-21 标准，这些二极管也不含卤素。

特性

应用

参数

4000-306-326