Infineon英飞凌_IDW50E60_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IDW50E60 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

最低 V_F 值
非常软的二极管
T_j(max) 为 175°C
符合 JEDEC 标准
冷却封装和更高效率
出色的 EMI 行为
出色的成本/性能。权衡
低传导损耗
易于并联

参数

类型	描述
最高 I(FSM)	240 A
最高 IF	80 A
IF	50 A
最高 IR	40 µA
Irrm	30 A
最高 Ptot	187 W
Qrr	1500 nC
最高 RthJC	0.8 K/W
trr	115 ns
最高 VF	1.65 V
VF	1.65 V
安装	THT
封装	TO-247
工作温度范围	-40 °C 至 175 °C
最高电压等级	600 V
配置	Single

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IDW50E60

采用 TO-247 封装的 600 V、50 A 发射极控制硅功率二极管主要用于高达 30kHz 的电机驱动应用。

特性

参数

4000-306-326