Infineon英飞凌_IDH20G65C5_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IDH20G65C5 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

更高的过压安全裕度，补充 CoolMOS ™功能
在所有负载条件下提高效率
与硅二极管替代品相比，效率更高
与更快的硅二极管反向恢复波形相比，EMI 更低
高度稳定的开关性能
降低冷却要求
降低热失控风险
符合 RoHS 标准
非常高质量且具有大批量生产能力

特性

提高品质因数 (Q _c x V _f)
无反向恢复电荷
软开关反向恢复波形
与温度无关的开关行为
高工作温度 (T _j 最高 175°C)
提高浪涌能力
无铅镀铅

应用

汽车车身控制模块 (BCM), 电动汽车充电, 48 V 中间总线转换器 (IBC)

参数

类型	描述
最高 I(FSM)	142 A
最高 IF	20 A
IR	1.1 µA
最高 Ptot	157 W
QC	29 nC
RthJC	0.6 K/W
VF	1.5 V
封装	TO220
认证标准	Industrial

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IDH20G65C5

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