Infineon英飞凌 IDW10G65C5 产品介绍
2026-04-14
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产品详情
- 更高的开关频率
- 更高的功率密度
- 减少冷却
- 更好的热行为
特性
- 第五代 SiC 肖特基二极管
- 极低反向恢复电荷
- 高浪涌电流能力
- 高温工作
- 改进的芯片连接
- 经过现场验证的 CoolMOS ™质量
- 自 1998 年以来推出的 CoolMOS ™
参数
类型 | 描述 |
最高 I(FSM) | 58 A |
最高 IF | 10 A |
IR | 0.5 µA |
最高 Ptot | 65 W |
QC | 15 nC |
RthJC | 1.8 K/W |
VF | 1.5 V |
封装 | TO247 |
认证标准 | Industrial |



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