Infineon英飞凌 DDB6U180N16RR_B11 产品介绍
2026-04-14
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特性
- Tvj op = 150°C
- 高功率密度
- 高机械稳定性
- 隔离基板
- PressFIT 接触技术
- 符合 RoHS 标准
- Al2O3 基板具有:
- 低热阻
参数
类型 | 描述 |
最高 I(FSM) | 1600 A |
IRMSM | 180 A |
封装 | EconoBRIDGE™ |
最高 电压等级 | 1600 V |
配置 | Diode Bridges with Brake Chopper |



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