Infineon英飞凌 DDB6U75N16W1R_B11 产品介绍
2026-04-14
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特性
- 无与伦比的坚固性
- 沟槽 IGBT4
- Al(2)O(3) 基板
- 紧凑设计
- PressFIT 接触技术
- 坚固的安装
- 集成安装夹
- 符合 RoHs 标准
参数
类型 | 描述 |
最高 I(FSM) | 605 A |
IRMSM | 75 A |
封装 | EasyBRIDGE 1 |
最高 电压等级 | 1600 V |
配置 | Diode Bridges with Brake Chopper and NTC |



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