Infineon英飞凌 IGK120B041S 产品介绍
2026-04-14
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产品详情
- Enabling smaller designs
- Reducing power losses
- Lower cost
特性
- 40 V bidirectional e-mode transistor
- Drain-to-drain configuration
- Bidirectional blocking capability
- Low gate charge, low output charge
- Qualified according to JEDEC
应用
移动设备和智能手机解决方案, 开关模式电源(SMPS)
参数
类型 | 描述 |
最高 ID (@25°C) | 30 A |
QG | 4.4 nC |
RDD (on) typ | 9 mΩ |
最高 VDD | 40 V |
封装 | SG-UFWLB-12 |
环保认证 | RoHS compliant, Halogen free |
目前计划的可用性至少到 | 2035 |
系列 | CoolGaN™ BDS 40 V G3 |
认证标准 | Standard |



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