Infineon英飞凌_T570N65TOF_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 T570N65TOF 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

高电流
高阻断电压
提供光触发类型
最高坚固性
最高可靠性
高外壳不破裂电流。能力。

参数

类型	描述
ITAVM/TC [A/°C] (@180° el sin)	540/85
ITAVM	540 (180 ° el sin)
ITSM [A] (@10ms, Tvj max)	10500
ITSM	10500 A
最高 rT [mΩ] (@Tvj max)	1.4
最高 RthJC [K/kW] (@180° el sin)	21
tq [µs]	1000
最高 Tvj [°C]	125
VDRM / VRRM [V]	6500
VDRM/ VRRM (V)	6500 V
VT/IT [V/kA] (@Tvj max)	2.75/1.0
最高 VT0 [V] (@Tvj max)	1.35
∫I2dt [A²s · 103] (@10ms, Tvj max)	442
夹紧力[kn] 范围	13 至 23
封装	Disc dia 76mm height 26mm / Ceramic
配置	Electrical Triggered Phase Control Thyristor

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T570N65TOF

T570N 相控晶闸管圆片组装在高可靠、坚固且密封的陶瓷外壳中，直径为 76 毫米，高度为 26 毫米。

特性

参数

4000-306-326