Infineon英飞凌_T533N80TOH PR_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 T533N80TOH PR 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

完全阻断能力 50/60 Hz
高直流阻断稳定性
高外壳不断裂电流
高导通 di/dt 能力
高浪涌电流能力
高 di/dt 能力
高 dv/dt 能力

应用

电力传输和配电, 马达控制

参数

类型	描述
ITAVM/TC [A/°C] (@180° el sin)	540/85
ITAVM	540 (85 ° el sin)
ITSM [A] (@10ms, Tvj max)	10500
ITSM	10500 A
最高 rT [mΩ] (@Tvj max)	1.47
最高 RthJC [K/kW] (@180° el sin)	20
tq [µs]	650
最高 Tvj [°C]	120
VDRM / VRRM [V]	8000
VDRM/ VRRM (V)	8000 V
VT/IT [V/kA] (@Tvj max)	2.75/1.0
最高 VT0 [V] (@Tvj max)	1.26
∫I2dt [A²s · 103] (@10ms, Tvj max)	550
夹紧力[kn] 范围	15 至 24
封装	Disc dia 76mm height 35mm / Ceramic
配置	Light Triggered Phase Control Thyristor

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T533N80TOH PR

光触发晶闸管盘 8000 V、540 A，直径 76 毫米，高度 35 毫米，采用高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳。

特性

应用

参数

4000-306-326