Infineon英飞凌_IGLT65R055B2_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IGLT65R055B2 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

紧凑的设计
成本效益
低传导损耗
简化设计
上市时间短

特性

650 V 双向增强型晶体管
公共排水配置
双向阻断能力
低栅极电荷，低输出电荷
集成基板电压控制
符合 JEDEC 要求
在整个温度范围内，R_SS(on) 保持稳定。和频率。
更换背靠背开关

应用

单相串联逆变器解决方案, 三相组串逆变器解决方案, 微型逆变器解决方案, 马达控制, 服务器电源解决方案

参数

类型	描述
RDS (on)	55 mΩ
封装	PG-HDSOP-16
最高我SS脉冲 (@25°C)	73.6 A
环保认证	RoHS compliant, Halogen free
目前计划的可用性至少到	2035
系列	CoolGaN™ BDS 650 V G5
认证标准	Industrial

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IGLT65R055B2

IGLT65R055B2 是采用 TOLT 封装的 650 V 常关双向功率晶体管，可实现高功率密度设计。CoolGaN ™ BDS 650 V G5 可在两个方向上实现高效的电压阻断，使其成为广泛应用的多功能选择，并可实现具有成本吸引力的拓扑结构。

产品详情

特性

应用

参数

4000-306-326