Infineon英飞凌_IGI60L2727B1M_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IGI60L2727B1M 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

元件数量减少 4 倍
PCB 占用空间减少 2 倍

在系统层面：
降低成本
减轻重量
降低复杂性

特性

集成电平移位栅极驱动器
集成自举二极管
PWM 输入兼容
宽 V_DD 范围（10 至 24 V）
开启和关闭 dv/dt 斜率控制
零 Q_rr

应用

电源适配器和充电器

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	4.8 A
最高 IDpuls (@25°C)	9 A
QG	1.2 nC
RDS (on) (typ)	270 mΩ
最高 VDS	600 V
封装	LGA 6x8
环保认证	RoHS compliant, Halogen free
目前计划的可用性至少到	2035
系列	CoolGaN™ Drive HB 600 V G5
认证标准	Industrial

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IGI60L2727B1M

IGI60L2727B1M 将由两个 600 V / 270 mΩ（RDS(on) 典型值）CoolGaN ™晶体管组成的半桥功率级与集成电平移位栅极驱动器和自举二极管结合在一个小型 6x8 mm TFLGA-27 封装中。

产品详情

特性

应用

参数

4000-306-326