Infineon英飞凌_2ED2110S06M_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 2ED2110S06M 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

操作。电压（VS 节点）< + 650 V
负。VS 瞬态抗扰度为 100 V
Integr.超快速自举二极管
90 ns 传播延迟
用于自举操作的浮动通道
两个通道的独立 UVLO
逻辑操作在 VS 引脚上高达 -11 V
Neg。输入电压容差为 -5 V
最大供电电压为 25 V
3.3,5 和 15 V 输入逻辑兼容。
分离逻辑和电源地

应用

电动工具, 无线电动工具, 光伏, 家居和楼宇自动化, 马达控制

参数

类型	描述
VBS UVLO (On)	8.9 V
VBS UVLO (Off)	8 V
VCC UVLO (On)	8.9 V
VCC UVLO (Off)	8 V
产品名称	2ED2110S06M
关断传播延迟	110 ns
开通传播延迟	110 ns
电压等级	650 V
认证标准	Industrial
输入Vcc 范围	10 V 至 20 V
输出电流 (Sink)	2.5 A
输出电流 (Source)	2.5 A
通道数	2
配置	High-side and low-side
隔离类型	Functional levelshift SOI (Silicon On Insulator)

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2ED2110S06M

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