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2ED2181S06F

现货,推荐

650 V 高侧和低侧栅极驱动器具有高电流和高速特性,可驱动 MOSFET 和 IGBT,DSO-8 封装中典型的灌电流和拉电流为 2.5 A。还提供爬电距离更大的 DSO-14 封装版本:2ED21814S06J。基于英飞凌的 SOI 技术,具有出色的坚固性和对 VS 引脚上负瞬态电压的抗噪能力。器件中不存在寄生晶闸管结构,因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁。

Infineon英飞凌 2ED2181S06F 产品介绍
2026-04-14 0次

特性


  • 操作。电压(VS 节点)< + 650 V
  • 负。VS 瞬态抗扰度为 100 V
  • Integr.超快速自举二极管
  • 用于自举操作的浮动通道
  • 最大电源电压 25 V
  • 两个通道均具有独立的 UVLO
  • 200 ns 传播延迟
  • HIN、LIN 输入逻辑
  • VS 引脚上的逻辑操作电压高达 -11 V
  • Neg.输入电压容差为 –5 V
  • 适用于高侧开关

应用


适用于智能电视的完整系统解决方案, 电动工具, 无线电动工具, 家用电器, 功率优化器解决方案, 家用机器人, 商用暖通空调系统, 马达控制, 开关模式电源(SMPS)

参数


类型

描述

VBS UVLO (Off)

7.2 V

VBS UVLO (On)

8.2 V

VCC UVLO (Off)

8.2 V

VCC UVLO (On)

9.1 V

产品名称

2ED2181S06F

关断传播延迟

200 ns

开通传播延迟

200 ns

电压等级

650 V

认证标准

Industrial

输入Vcc 范围

10 V 至 20 V

输出电流 (Sink)

2.5 A

输出电流 (Source)

2.5 A

通道数

2

配置

High-side and low-side

隔离类型

Functional levelshift SOI (Silicon On Insulator)

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