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在产
Infineon英飞凌 1EDI20N12AF 产品介绍
2026-04-14
0次
产品详情
- 适用于所有 650 V CoolMOS ™ C7、P6 和其他超级结 MOS 晶体管
- SMPS 等高开关频率应用，高达 4 MHz
- 集成过滤器减少了对外部过滤器的需求
- 适用于高环境温度和快速开关应用
- 无需调整 μController 和驱动器之间的信号电压电平
- 当输出芯片未连接到电源时，主动关断可确保 IGBT 处于安全关断状态
- 短路钳位用于限制短路期间的栅极电压
特性
- 紧凑型单通道隔离
- 适用于 600 V、650 V、950 V MOSFET
- 电气隔离
- 典型值 4 A 灌电流和源电流输出
- 最大 40 V。输出电源电压
- 120 ns 传播延迟，带 40 ns 输入滤波器
- 带 40 ns 输入滤波器
- 高 CMTI >100 kV/μs
- 独立的源输出和吸输出
- 短路钳位
- 有源关断
- DSO-8 150 mil 窄体封装
应用
轻型电动车解决方案, 电动汽车充电, DIN 导轨电源解决方案, 48 V 中间总线转换器 (IBC), 电信基础设施, 不间断电源 (UPS)
参数
类型 | 描述 |
PD输出 | 400 mW |
RDSON_H（典型值） | 2.25 Ω |
RDSON_L（典型值） | 2.25 Ω |
RDSON_L（最大值） | 5 Ω |
RthJA | 165 K/W |
VBS UVLO (Off) | 8.5 V |
VBS UVLO (On) | 9.1 V |
VCC UVLO (Off) | 2.75 V |
VCC UVLO (On) | 2.85 V |
关断传播延迟 | 120 ns |
导通电阻 (RDSON_H)（最大值） | 4.3 Ω |
开通传播延迟 | 115 ns |
电压等级 | 1200 V |
认证标准 | Industrial |
输入Vcc 范围 | 3.1 V 至 17 V |
输出电流 (Source) | 4 A |
输出电流 (Sink) | 3.5 A |
通道数 | 1 |
配置 | High-side |
隔离类型 | Galvanic isolation - Functional |
