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1ED3431MU12M

在产

EiceDRIVER ™增强型单通道高灵活性隔离栅极驱动器,具有 ±3A 典型吸收和源峰值输出电流,采用节省空间的小型 DSO-16 细间距宽体封装,具有较大的爬电距离,适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET。 它具有高度可配置性,包括 DESAT 和软关断、通过输入侧的外部电阻、单独输出、有源米勒钳位、故障和过热关断

Infineon英飞凌 1ED3431MU12M 产品介绍
2026-04-14 0次

特性


  • 单通道隔离栅极驱动器
  • 适用于高达 2300 V 的 Si 和 SiC 开关
  • 2300 V 功能。失调电压能够
  • ±3 A 典型值吸收和源峰值输出
  • 40 V 绝对最大值。输出电压
  • 独立的源输出和吸输出
  • 有源米勒钳位
  • 精确的 VCEsat 检测 (DESAT)
  • IGBT 软关断
  • 参数调整。从输入侧
  • 可调 DESAT 滤波时间
  • 可调软关断电流水平

应用


电磁炉, 洗涤和烘干, 电动汽车充电, 通用电机驱动器, 光伏, 家用空调, 马达控制, 不间断电源 (UPS), 服务器电源解决方案

参数


类型

描述

PD输出

700 mW

RDSON_H(典型值)

1.12 Ω

RDSON_L(典型值)

0.82 Ω

RDSON_L(最大值)

1.64 Ω

RthJA

122 K/W

VBS UVLO (Off)

11 V

VBS UVLO (On)

12 V

VCC UVLO (Off)

2.8 V

VCC UVLO (On)

2.95 V

产品名称

1ED3431MU12M

关断传播延迟

236 ns

导通电阻 (RDSON_H)(最大值)

2.24 Ω

封装

PG-DSO-16-33

开通传播延迟

244 ns

电压等级

2300 V

认证标准

Industrial

输入Vcc 范围

3 V 至 6.5 V

输出电流 (Source)

3.8 A

输出电流 (Sink)

2.5 A

通道数

1

配置

High-side

隔离类型

Galvanic isolation - Functional

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