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2EDS8265H

EiceDRIVER ™ 2EDS8265H 是一款增强型隔离栅极驱动器,用于对 SMPS 中的强制安全隔离栅进行次级侧控制。强大的 4A/8A 源极/汲极栅极驱动器具有 150V/ns 的高 CMTI,可在快速 CoolMOS ™和高功率开关噪声环境下实现稳健运行。37ns 的短传播延迟具有较低的温度变化,使电源系统设计能够实现更高的效率。

Infineon英飞凌 2EDS8265H 产品介绍
2026-04-14 0次

产品详情


  • 提高效率,降低损耗
  • 更小尺寸,改善热性能
  • 保护和安全操作
  • 灵活的配置
  • 法规安全性

系统价值

  • 实现更高的系统效率和更高的功率密度设计
  • 提高长期竞争成本地位、集成度和量产能力
  • 通过提高电源开关在正常和异常场(电网)条件下的安全运行来延长最终产品的使用寿命
  • 通过接地隔离、驱动器靠近 MOSFET 或使用 4 引脚开尔文源 MOSFET 来降低 EMI
  • 通过组件(VDE884-x、UL1577 和系统(IEC60950、IEC62368)认证)简化安全认证

特性


  • 快速切换,精准定时
  • 针对面积和系统 BOM 进行了优化
  • 抗开关噪声
  • 输出到输出通道隔离
  • 输入到输出通道隔离

应用


Battery energy storage (BESS), 电动汽车充电, DIN 导轨电源解决方案, 48 V 中间总线转换器 (IBC), 电信基础设施

参数


类型

描述

VBS UVLO (On)

8 V

VCC UVLO (On)

2.85 V

关断传播延迟

37 ns

封装

WB-DSO-16

开通传播延迟

37 ns

电压等级

650 V

认证标准

Industrial

输入Vcc 范围

3 V 至 3.3 V

输入端电源

20 V

输出电流 (Sink)

8 A

输出电流 (Source)

4 A

通道数

2

配置

High-side and low-side, High-side, Half-Bridge, Half-Bridge

隔离类型

Galvanic isolation - Reinforced

预算价格€/1k

1.63, 1.63

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  • CoolSiC™ MOSFET 750 V 利用了英飞凌 20 多年的 SiC 经验。它在性能、可靠性和稳健性方面具有优势,具有栅极驱动灵活性,可实现简化且高效的系统设计,从而实现最高效率和功率密度。 创新的顶部冷却封装进一步增强了CoolSiC™ 750 V 的优势,提供了更高的密度、优化的功率回路设计以及更少的系统和组装成本。
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    2026-04-14 304次
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