h1_key

当前位置:首页 >新闻资讯 > 产品资讯>英飞凌>Infineon英飞凌 1ED44175N01B 产品介绍

1ED44175N01B

现货,推荐

EiceDRIVER ™ 25 V 单通道低侧非反相栅极驱动器 IC,具有典型的 2.6 A 拉电流和灌电流,采用微型 6 引线 PG-SOT23 封装,通过将故障输出和启用功能组合到单个引脚来实现。 它通过集成比较器节省成本和空间,并通过我们专有的锁存免疫 CMOS 技术实现强大的单片设计,同时实现一流的故障报告准确性。

Infineon英飞凌 1ED44175N01B 产品介绍
2026-04-14 0次

特性


  • -0.246 V 过流阈值
  • 过流检测
  • 单引脚故障输出与使能
  • 可编程故障清除时间
  • 宽电源电压 25 V Vcc 最大值
  • IGBT 欠压锁定
  • CMOS 施密特触发输入
  • 3.3,5 和 15 V 输入逻辑兼容。
  • 输出与输入同相
  • -10 Vdc 负。OCPpin的输入能力
  • 3 kV ESD HBM

应用


汽车高压电动压缩机, 家用电器, 冰箱和冷冻柜, 伺服电机驱动和控制, 商用暖通空调系统, 家用空调, 开关模式电源(SMPS)

参数


类型

描述

VBS UVLO (Off)

11 V

VBS UVLO (On)

11.9 V

VCC UVLO (Off)

11 V

VCC UVLO (On)

11.9 V

产品名称

1ED44175N01B

关断传播延迟

50 ns

封装

PG-SOT23-6

开通传播延迟

50 ns

电压等级

25 V

认证标准

Industrial

输入Vcc 范围

12.7 V 至 20 V

输出电流 (Sink)

2.6 A

输出电流 (Source)

2.6 A

通道数

1

配置

Low-side

隔离类型

Non-isolated

  • Infineon英飞凌 IMW65R010M2H 产品介绍
  • 采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础,能够加速系统设计,从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进,适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
    2026-04-14 211次
  • Infineon英飞凌 AIMBG75R050M2H 产品介绍
  • CoolSiC™ MOSFET 750 V 利用了英飞凌 20 多年的 SiC 经验。它在性能、可靠性和稳健性方面具有优势,具有栅极驱动灵活性,可实现简化且高效的系统设计,从而实现最高效率和功率密度。 创新的顶部冷却封装进一步增强了CoolSiC™ 750 V 的优势,提供了更高的密度、优化的功率回路设计以及更少的系统和组装成本。
    2026-04-14 277次
  • Infineon英飞凌 BAT15-02ELS 产品介绍
  • 这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件,片上集成有保护环,用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-02ELS 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。
    2026-04-14 265次
  • Infineon英飞凌 IMW120R060M1H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封装,基于最先进的沟槽半导体工艺构建,经过优化,兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。
    2026-04-14 328次
  • Infineon英飞凌 IMCQ120R078M2H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装,专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
    2026-04-14 304次
    10s
    温馨提示:
    订单商品问题请移至我的售后服务提交售后申请,其他需投诉问题可移至我的投诉提交,我们将在第一时间给您答复
    返回顶部