Infineon英飞凌_1ED21471S65F_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 1ED21471S65F 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

出色的坚固性和抗噪性
高电流输出级
集成电源开关保护
提供故障反馈

特性

英飞凌薄膜 SOI 技术
最大阻断电压 +650 V
输出拉电流/灌电流 +4 A/ -4 A
最大供电电压 25 V
集成自举二极管
100 V 的负 VS 瞬态抗扰度
过流和欠压保护
多功能 RFE 引脚功能
传播延迟小于 100 纳秒
DSO-8 封装
符合 RoHS 规定

应用

轻型电动车解决方案, 通用电机驱动器, 马达控制

参数

类型	描述
VBS UVLO (On)	10 V
VBS UVLO (Off)	8.7 V
VCC UVLO (Off)	8.7 V
VCC UVLO (On)	10 V
关断传播延迟	55 ns
封装	PG-DSO-8
开通传播延迟	55 ns
电压等级	650 V
认证标准	Industrial
输入Vcc 范围	10.8 V 至 22 V
输出电流 (Source)	4 A
输出电流 (Sink)	4 A
通道数	1
配置	High-side
隔离类型	Functional levelshift SOI (Silicon On Insulator)

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1ED21471S65F

EiceDRIVER ™ 650 V 高压单通道栅极驱动器 IC，具有典型的 4 A 拉电流和 4 A 灌电流，采用 DSO-8 封装，适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET。

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特性

应用

参数

4000-306-326