Infineon英飞凌_2EDL8023G3C_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 2EDL8023G3C 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

高功率密度
高效率
高 MOSFET 可靠性
高效率
高 MOSFET 可靠性
稳定运行

特性

独立控制的高端和低端栅极驱动器
高端和低端驱动器均具有 3 A 拉电流能力
强大的 5 A 高端/6 A 低端灌电流能力
片上自举二极管
快速开关频率
低死区损耗
小型 3 mm x 3 mm SON 封装
符合 RoHS 标准的无铅封装

应用

轻型电动车解决方案, DIN 导轨电源解决方案, 电信基础设施

参数

类型	描述
VBS UVLO	5.75 V
VCC UVLO	7 V
关断传播延迟	45 ns
封装	PG-VSON-10
开通传播延迟	45 ns
电压等级	120 V
认证标准	Industrial
输入Vcc 范围	8 V 至 17 V
输出电流 (Source)	3 A
输出电流 (Sink)	6 A, 5 A
通道数	2
配置	High-side and low-side, High-side and low-side
隔离类型	Functional levelshift JI (Junction Isolated)

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2EDL8023G3C

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